健康な生活が大切です。 | 半導体デバイスの性能劣化について。(半導体)

半導体デバイスの性能劣化について。(半導体)

2012年01月12日 16時21分

半導体デバイスの性能劣化について。

半導体デバイスの性能劣化について。
量子効果は半導体デバイスの性能劣化の要因となっていて、さらに微細化が進むとその影響が深刻化すると聞きいたのですが、具体的にはどのような性能劣化が起きるのでしょうか？未熟者でイメージがまったくわきません…

あとMOSFETのID-VG特性は線形領域のときと飽和領域のときのドレイン電圧で分けて見る理由がよくわかりません…
そしてその特性を見て、MOSFETが性能が良いか悪いかが判断できません。
性能の良いMOSFETというのはしきい値電圧が低くて、サブスレショルドリーク電流が少ないときなのですか？
MOSFETがオンした後の電流値は高いほうがいいのですか？

質問ばかりしてすみません。
本を読んでいたのですがわかるようなわからないような感じでもやもやしてしまい、すがる気持ちで質問してみました…
こんな自分ですが、よかったらアドバイスお願いいたします。

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半導体ダイオードを含む直流回路

半導体ダイオードを含む直流回路
半導体ダイオードDの順方向電圧と電流の関係を図１に示す。
このダイオードＤ、電圧を変えられる直流電源Ｅ,スイッチ
S1,S2,S3,S4,抵抗R1(200Ω),R1(50Ω)を導線でつないで、図２のような電気回路を構成した。直流電源の内部抵抗は無視できるものとする。
(1)スイッチS1,S2およびS3を閉じ、S4を開いた状態でEの電圧を変化させた。このとき、抵抗Ｒ１を流れる電流I1[mA]およびスイッチS3を流れる電流I2[mA]を図１のグラフに示せ。
(2)次に,スイッチＳ1,S2およびS4を閉じ,S3を開いた状態でEの電圧を変化させた。このとき,スイッチS4を流れる電流I3[mA]を図３上のグラフに示せ。V1とV2（抵抗Ｒ２の電圧）のグラフを足し合わせたものがVEのグラフになるらしいんですが、よくわかりません。
(1)のグラフで抵抗がなかったですが、(2)では抵抗があるので仮にI2[mA]がＤとＲ２をまとめた部分通ったとしてそのときV1[V]であるとは限らないのでは？？？

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2SC1815ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀの作用・機能をもつ1A以上の半導体はあるのでしょうか。

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電子工作の独習ひよこです。今、2SC1815を用いたｾﾝｻｰをよく理屈もわからずに組んでいる段階です。この素子はIc=150mAとのことですが、より大きな電流向け(1A以上2Aとか10Aなど)のものはあるのでしょうか。この小さな素子の優れた機能に感動して、全体像を知りたくてお尋ねします。他の方法も含めて、このような作用・機能をする高い容量の素子はあるのでしょうか。よろしくお願いします。

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半導体のPN接合における、空乏層容量についてなんですが、
空乏層容量とは空乏層の幅の大きさ（容量）のことなんでしょうか？
それとも空乏層容量はPN接合容量とも言われる静電容量のことなんでしょうか？

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